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元件参数资料
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参数目录49724
> STQ1NK60ZR-AP MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
型号:
STQ1NK60ZR-AP
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STQ1NK60ZR-AP PDF
其它有关文件
STQ1NK60ZR View All Specifications
标准包装
2,000
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
15 欧姆 @ 400mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
94pF @ 25V
功率 - 最大
3W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装
TO-92
包装
带盒(TB)
其它名称
497-12343-3
查看STQ1NK60ZR-AP代理商
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